1、Queisser的错误结果,发现在激子共振频率附近表面激子极化激元存在异常色散的现象.
2、采用线性组合算符和护格朗日乘子法,导出了强耦合情况下的压电激子的有效哈密顿量,得到了强耦合激子的重正化质量。
3、本文采用线性组合算符和一种简单的幺正变换,导出了表面激子的有效哈密顿量。
4、但对量子阱线中带电激子体系的研究很少,所以本文主要研究量子阱线中带电激子的性质.
5、镶嵌模型解释了钛酸钡纳米晶立方相中的激子自陷机制.
6、当CBP层厚度很薄时,激基复合物发光强度显著降低,而电致激基复合物合激子发光强度相对提高。
7、而对多激子态则采用能量求平均,同时考虑到费米面上的核子对能量、角度分布提供了不同的权重.
8、本文建立了半导体微腔的缀饰激子模型.
9、基于实验资料,光诱导结构改变被解释为三重激子极化子的凝聚。
10、有机电致磷光器件的设计和利用,可以突破由三线态激子跃迁自旋禁阻引起的有机电致荧光器件量子效率的限制。